全面包围联发科 高通会将6系芯片升级到10nm工艺
2018年02月27日 05:11:00
来源：ZOL中关村在线
作者：中关村在线
原标题：全面包围联发科 高通会将6系芯片升级到10nm工艺 中关村在线消息：在昨天的MWC2018世
原标题：全面包围联发科 高通会将6系芯片升级到10nm工艺
中关村在线消息：在昨天的MWC2018世界移动通信大会上，联发科正式的发布了HelioP60芯片，这是基于台积电12nmFinFET工艺所打造，采用了四颗CortexA73大核+4颗CortexA53小核组成，最高CPU频率为2.0GHz，GPU为Mali-G72MP3，频率为800MHz。
联发科在MWC上正式发布HelioP60芯片
根据联发科HelioP60芯片数据曝光，这颗芯片定位中端，很有可能是专为抗衡高通骁龙6系芯片而来。不过日前根据@草Grass草透露：2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程，并开始向4系渗透，对联发科形成全面包围之势。
由此看来，联发科HelioP60想要打击到高通的芯片地位好像还有很长一段路要走。假如高通6系芯片升级到10nm工艺制程，可不仅仅是性能的大幅升级，功耗、发热控制等方面也会全面升级，届时很有可能是以联发科惨败收场。
根据之前国外科技媒体爆料，高通骁龙670将会采用六核心设计，并且是基于10nm制程工艺制造，两个高性能大核采用Kryo300Gold定制版架构，四个低功耗小核心为Kryo300Silver架构，这两种架构是高通分别在ARM的A75、A55架构的基础上自研的新架构。
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