智能手机史上首次涨价潮背后 全球存储器竞争格局生变

经济观察报郑平/文 存储器涨价从2016年下半年开始，根据ICInsights的预计，2017年内存（DRAM）价格涨幅将达到39%，闪存（Flash）涨幅也有望达到25%。这是由于需求增长和供给收缩。一方面，国产品牌手机出货量持续增长，以及新一代iPhone产品推出，存储器产能正被大量消耗；另一方面，以三星、海力士为代表的企业正投入一场存储器创新竞赛，将二维闪存（2DNANDFlash）转移至三维闪存（3DNANDFlash）的技术革命，这导致产能增长放缓。

这是一个得存储器者得天下的时代。存储器被普遍称为“半导体产业的皇冠”，如今正成为手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。在全球存储器市场的寡头竞争中，随着存储器价格攀升，三星成为最大赢家，一路高歌猛进，而由此巨亏的东芝（Toshi-BA）半导体却陷入尴尬境地。同时，涨价侵蚀着原本竞争激烈、利润微薄的智能手机产业，一路打价格战的智能手机企业横迎来史上首次涨价潮。

在这样的格局中，国产存储器正在南京、武汉、晋江三地建构着三足鼎立之势。国家已经下定决心发展存储器产业，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，在全球存储器产业的关键时刻，能否实现“弯道超车”？

寡头格局

存储器是几乎所有电子产品的关键元器件，承担着信息记忆的功能。半导体存储器按照产品类型可分为内存（DRAM）和闪存（Flash）两大类。电子产品断电后，DRAM储存的数据会自动消失，Flash则不会消失，存储的数据会保留下来，供下次使用。

DRAM常见的产品形态主要是内存条，Flash在生活中随处可见，主要包括microSD卡、UFS（通用闪存存储）、EMMC（嵌入式多媒体存储卡）、U盘、SSD（固态硬盘）等。存储器应用领域十分广泛，覆盖范围从消费电子到工业、汽车、航空航天、军事、医疗等各个领域。

存储器属于半导体三大产品类别之一，市场规模巨大，约占全球半导体总产值的23%。数据显示，2015年全球DRAM产值约450亿美元，全球NAND闪存市场规模约为300亿美元，DRAM和NAND闪存总产值在全球半导体存储器产业的比重高达95%。同时，存储器是标准化的产品，从历史上看，存储器产业随着库存、需求、产能等因素变化具有明显的周期性，而且存储器毛利率随着行业周期性波动而剧烈变动。

关键的是，存储器产业的高度集中下，全球呈现寡头竞争格局。DRAM的主要市场玩家有限，主要包括三星、SK海力士、美光等企业，韩国目前为全球第一大存储器制造国。根据TrendForce的数据，截至2016年三季度，全球NANDFlash市场份额分布为三星（37%）、东芝（20%）、闪迪（17%）、美光（10%）、海力士（10%）、英特尔（6%），全球DRAM市场份额分布为三星（50.2%）、海力士（24.8%）、美光（18.5%）、南亚（3.1%）、华邦电子（1.7%）、力晶科技（0.6%）、其他（1.2%）。内存模组厂商包括金士顿、美光等，金士顿是全球第一大内存模组厂商，2015年市占率高达68%。

随着文字、图片、语音、视频等多种类型的数据呈现爆发式增长，存储器在消费电子产品中的地位越来越重要，同时也是手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。目前笔记本电脑内存容量一般为2G～16G，闪存容量为64G～512G，智能手机内存容量为2G～8G，闪存容量为16G～256G。同一个厂家推出的同一款智能手机仅仅因为存储器容量的不同，价格可能相差数百元到一两千元。由此可见存储器对消费电子产品的重要性。

从半导体产业发展史看，在上个世纪，存储器产业经历了从美国到日本再到韩国的产业转移过程。存储器最早起源于美国，20世纪50年代美国开发出全球首个DRAM芯片，美国曾在DRAM领域长期保持领头羊的地位。为了集中力量发展半导体产业，日本政府在70年代中期联合日立、东芝、富士通等五家日本最大的计算机公司成立超大规模集成电路研究协会，到80年代中期日本存储器产业实现赶超美国。韩国存储器产业以三星为代表，三星从20世纪80年代初期进入集成电路产业，在国外的技术授权许可下，通过10年的自主研发创新和不懈努力，在1994年成为全球第一的内存制造商和第七大半导体制造商。

涨价背后

2016年下半年开始，存储器市场出现供需缺口，需求量持续增长。智能手机和服务器市场对内存和SSD需求旺盛，特别是国产品牌手机出货量持续大幅增长，新一代iPhone产品的推出，需要消耗大量的存储器产能，同时数据中心建设带动服务器用存储器持续增长，固态硬盘在PC中替代机械硬盘也增加了对NAND闪存的需求。

供给持续收缩。三星、海力士等企业正逐步将2DNANDFlash（二维闪存）转移至3DNANDFlash（三维闪存），2DNANDFlash基本停止扩产。3DNANDFlash作为一种新兴的存储器，扩产需要较长时间，闪存产能增长幅度放缓。全球主要闪存厂商的3DNANDFlash目前产出超过NAND闪存产量的一半。目前DRAM生产工艺微缩进入到20纳米节点，工艺制程继续微缩、良率提升的难度急剧上升，经济效益不好，因此，各大DRAM厂对先进技术开发、资本支出持保守态度，DRAM总体产能增长大幅放缓，DRAM供给相对稳定。预计到2018年，随着3DNANDFlash产能和良率不断提升以及新增产能陆续投产，存储器供应紧张局面有望缓解。

这一轮涨价或改变全球存储器竞争格局。三星成为存储器涨价的最大赢家，三星有望在2017年超越英特尔，成为全球半导体龙头。从去年三季度以来，存储器涨价扭转了三星在Note7手机大量召回带来的不利局面。根据ICIn-sights的数据，今年二季度，存储器持续涨价推动三星半导体部门营收创出新高，有望达到149亿美元，高于英特尔的144亿美元（预估值）。我们预计三星在未来很长一段时间将主导全球存储市场的定价权。

与三星半导体高歌猛进不同的是，东芝（Toshiba）半导体业务发展陷入了尴尬境地。东芝公司的2016年财报显示，公司在美国发展的核电业务出现了巨亏。为扭转不利局面，东芝管理层欲出售半导体闪存业务。业界认为，东芝闪存业务售价将在180亿美元以上。目前，博通（Broadcom）、台湾鸿海、SK海力士以及西部数据（WD）等公司都对竞购表示出了浓厚兴趣。更新的消息是，苹果和亚马逊将联手台湾鸿海竞购东芝半导体业务。

究竟花落谁家，或许6月中下旬市场就会给出答案。这也反映出，在全球范围内，半导体闪存资产仍是一块炙手可热的香饽饽。

涨价对下游智能手机和PC厂商来说十分不利。存储器涨价大幅增加了智能手机和PC厂商的成本，特别是存储器成本占比相对较高的中低端智能手机，侵蚀了竞争激烈、利润微薄的智能手机产业，PC厂商则面临PC出货下滑与存储器供给严重不足的双重压力。

目前部分智能手机已经涨价，幅度在100～500元不等，改变了智能手机以前一直降价的历史。苹果新机型6月初正式进入量产，服务器市场对存储器需求持续增长，国产品牌手机进入销售旺季，这些因素均加剧了存储器的供应紧张程度，部分智能手机厂商拿货可能延迟甚至短期内拿不到货。根据ICInsights的预计，2017年DRAM价格涨幅将达到39%，闪存（Flash）涨幅也有望达到25%。对PC厂商而言，SSD取代普通硬盘是趋势，PC行业近年来增速放缓，订单不稳定也导致存储器厂商不太愿意投入资源在PC用存储器上。

中国存储器产业起步较晚，我国作为全球最重要的存储器市场，在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，有望实现存储器产业的“弯道超车”，在全球竞争中占有一席之地。

目前已形成南京、武汉、晋江三足鼎立之势。国内存储器目前主要依靠进口，根据电子信息产业网的数据，我国每年进口的存储器金额约为600亿美元。为此，国家下定决心发展存储器产业。2016年7月，紫光控股、国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团共同出资240亿美元成立了长江存储。长江存储主要从事3DNANDFlash的芯片与制造，旗下拥有全资子公司武汉新芯。武汉新芯成立于2006年，2008年开始量产，拥有12英寸集成电路技术研发与生产制造能力，其闪存与影像传感器制造技术位居世界前列，并且布局了物联网领域，同时从事SOC、三维集成、MCU平台等工艺技术的研发与生产。

紫光集团官方网站显示，由其投资的紫光南京半导体产业基地项目于2017年1月正式签约落户南京，总投资超过300亿美元，主要产品包括3DNANDFlash、DRAM存储芯片等，项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。晋华集成电路官方网站显示，晋华集成电路是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团等共同设立的集成电路企业，于2016年2月在福建晋江成立，投资56.5亿美元，建立12英寸内存（DRAM）晶圆制造生产线，通过与台联电合作共同研发先进存储器技术和制程工艺。

（作者系民生证券研究员，本报记者沈怡然采访整理）