300亿美元入主南京 国产半导体即将起航
2017年02月14日 05:13
来源：ZOL中关村在线
随着固态硬盘等存储产品对于闪存颗粒的需求不断加大，国产化的力度也不断在加大，特别是“国家队”的介入，让国产化存储芯片快速问世成为了可能。 近日，国内存储大厂紫光携南京市政府举
随着固态硬盘等存储产品对于闪存颗粒的需求不断加大，国产化的力度也不断在加大，特别是“国家队”的介入，让国产化存储芯片快速问世成为了可能。
近日，国内存储大厂紫光携南京市政府举行动土典礼，宣告紫光南京半导体基地正式开工。
紫光南京新厂与台积电南京厂同坐落于南京江北新区浦口区，紫光南京新厂占地面积约 1,500 亩，主要生产 3D NAND Flash、DRAM 内存。总投资金额高达 300 亿美元的建设项目，一期投资约 100 亿美元、月产能 10 万片晶圆。去年底中国台湾地区 IC 设计晶圆测试厂欣铨，敲定在南京间接投资新厂，同样将落户于此。
包含紫光集团董事长赵伟国、 江苏省委书记及省人大常委会主任李强、省委副书记暨南京市委书记吴政隆、南京市长穆瑞林等人都出席动土仪式。
紫光集团还指出，将另外投资 300 亿人民币（约 44 亿美元）建设配套的 IC 国际城，包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、国际人才公寓等相关配套设施。
据先前赵伟国透露的信息，除了旗下长江存储国家存储基地 240 亿美元投资案，未来一年将在中国成都、南京各建一座晶圆厂，三项投资案加起来将超过 700 亿美元。
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