三星打造17nm LPV工艺:28nm+14nm二合一
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三星打造17nm LPV工艺:28nm+14nm二合一

半导体工艺不只是尖端的7/5/3/2nm,因为还有很多芯片并不需要太先进的制程,它们往往不太复杂,但对成本非常敏感。今天,三星宣布推出全新的17LPV 17nm工艺,意为Low Power Value。其实,它就是28nm工艺的进化版,融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序,也就是在28nm节点的基础上,加入了14nm FinFET立体晶体管,只需不高的成本,就能享受后者的能效优势。

三星称,17nm LPV工艺相比传统28nm,芯片面积可缩小43%,可以带来39%的性能提升或者49%的能效提升。

三星没有公布17nm LPV工艺的量产时间,但三星已经宣布第一个服务对象是ISP图像信号处理器,属于三星自家的CMOS传感器产品线。

此外,三星还打造了14nm LPU工艺,意味Low Power Ultimate,但未透露详情,可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

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