消息称SK海力士HBM4良率已突破70%，与三星、美光竞争下一代内存市场

IT之家 11 月 12 日消息，据 Chosun Biz 今日报道，SK 海力士的 HBM4 内存良率已超过 70%，与三星和美光的竞争将更加激烈。

报道称，SK 海力士第六代高带宽内存（HBM4）的产能良率提升至 70% 以上。由于 HBM4 比以往产品更难制造，确保早期产量被视为决定大规模生产竞争力的关键变量。不过，SK 海力士官方尚未正式公布良率数据。

HBM4 是下一代高带宽内存，垂直堆叠多个 DRAM 芯片以提升数据处理速度和带宽。与标准 DRAM 不同，HBM 经历从单个芯片制造到堆叠、封装和最终测试的多个步骤。如果生产良率越低，需要的生产资源就越多，会提高制造成本。

报道提到，行业观察人士重视超 70% 这一数字，在相同计算基础下，将良率从 60% 提高到 70%，在相同生产投入下获得的商品单位数量可以增加约 16.7%。不过，实际生产中必须权衡产品性能、制造成本和客户需求。

在 10 月 28 日的第三季度财报电话会议上，SK 海力士表示，HBM4 在前端和后端流程的良率均为业内最佳之一。该公司表示，HBM4 良率超过了最初的计划，促使公司提高了内部目标。

IT之家注意到，三星电子和美光也在加大对 HBM4 的推广力度。今年 9 月有市场观点称三星电子的 HBM4 良率已提升至约 80%。对于在 HBM3E 市场占据优势的 SK 海力士来说，保持下一代产品的竞争力不仅需要性能，还需要生产良率和产能。

报道称，行业认为，HBM4 初期批量生产良率和稳定供应能力将成为塑造未来市场份额的关键因素。