消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造3D DRAM

IT之家 11 月 7 日消息，科技媒体《The Information》昨日（11 月 6 日）援引两名知情人士报道，台积电正考虑扩大业务版图，进军先进内存芯片制造，以在快速扩张的 AI 硬件供应链中获取更大份额。

报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为“3D DRAM”的先进内存芯片。该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对 AI 算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。

台积电目前尚未确定量产时间，也未最终决定产能来源。IT之家援引博文介绍，台积电正在评估两条路径：一是兴建专用新厂，二是收购现有晶圆厂并改造为内存生产设施。

这一动向若落地，将意味着台积电从长期专注的晶圆代工、逻辑芯片制造，向三星电子、SK 海力士和美光长期主导的存储芯片市场延伸。对英伟达而言，若能获得更近的先进内存供应，也有助于缓解 AI 加速器所需高带宽内存的供应压力。

不过，该消息仍属市场传闻。台积电回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务；英伟达则未回应置评请求。