消息称三星电子加速平泽P5晶圆厂PH1 DRAM产线建设，PH2或生产NAND

IT之家 9 月 28 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正加速推进平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设。

报道指出，三星电子已在本季度启动 P5 PH1 的洁净室建设，早于此前预期。按此进度推算，半导体制造设备进场时间应该落在 2027 年 7~8 月。

而消息人士最近表示，三星电子现要求在明年 5~6 月就进行设备导入，甚至希望在 2027Q1 就获取设备并暂存他处。三星电子对提前投资 P5 项目的意愿非常强烈。

另一方面，三星电子正与合作伙伴商讨将 P5 PH2 建成尖端 NAND 闪存生产线的想法。由于设备交期大幅延长，三星电子正要求合作伙伴提前备好相关零部件。