速率达12800Mbps！长鑫存储LPDDR6研发验证进入尾声：剑指全球首发量产

快科技8月1日消息，多家产业链信源同步披露，长鑫存储首款LPDDR6产品的研发验证已接近尾声，向着首发量产迈出了关键一步，在高端移动端内存的前沿技术竞赛中掌握先发主动权。

据悉，LPDDR产品的导入一般有四个重要节点，包括颗粒单体验证、研发验证、小批量导入验证，最后就是进入正式量产阶段，一款手机内存芯片真正在终端侧落地前，需要经历数道严苛考验。

当前长鑫已经走完前期核心验证流程，研发阶段针对软硬件兼容性、整机系统稳定、性能功耗平衡、结构机械耐久等多维度完成极限测试，提前规避芯片量产装车后的各类适配故障，保障终端产品长期稳定运行。

据产业链消息，长鑫存储早在今年3月便已将LPDDR6样品送至核心客户，并有望于2026年下半年实现全球首发量产导入。

在具体规格上，长鑫首款LPDDR6产品设计速率达到12800 Mbps，与SoC协同运行的基础速率为10667 Mbps；颗粒容量为16Gb，芯片容量达16GB，采用1295 Ball的POP封装。

相较于上一代LPDDR5X产品，其在低功耗设计与RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能上均实现了明显的优化提升。

长鑫存储顺利推进LPDDR6验证落地，代表国内存储产业完成历史性转折，正式从高端存储技术跟随者转变为前沿规格领跑者，终结海外存储厂商长期把控移动内存迭代节奏的格局。

依托本土供应链快速定制、就近技术服务的核心优势，长鑫LPDDR6会重塑全球高端移动存储供货结构，为国产旗舰手机、端侧AI硬件供给自主可控的高速内存核心器件，完善移动端半导体国产化链条。