长鑫存储DRAM产能激增 全年产能体量有望比肩美光科技

快科技7月14日消息，据媒体报道，中国本土内存制造商长鑫存储（CXMT）近期扩产步伐之快令业界瞩目。根据分析机构Citrini Research发布的最新数据，该公司正迅速崛起为全球DRAM市场的有力竞争者，其制造规模已足以与行业巨头美光（Micron）同台较量。

据预测，若当前所有扩产项目按计划如期完成，到2026年底，长鑫存储的DRAM晶圆月产能将达到约35万片。

作为对比，全球三大DRAM厂商之一的美光，在同期完成预期扩产后，月产量预计约为37.5万片。对一家近年来为满足国内需求而快速成长的新兴企业而言，如此规模实属罕见。

报告还揭示了一个业内备受关注的现象：长鑫存储在洁净室建设上的速度远超行业平均水平，其建设周期仅需约12个月，而全球其他主要DRAM制造商通常需要21至24个月。

尽管受美国制裁影响，长鑫存储无法获取先进的极紫外（EUV）光刻设备，但公司通过深紫外（DUV）光刻技术与多重曝光工艺的组合，成功实现技术突围。

目前，长鑫存储已开始出货基于G4节点的16 Gb DDR5芯片，运行速率达8000 MT/s，芯片面积较上一代缩减20%。同时，24Gb模组和LPDDR5X-10667等高端产品也已进入量产阶段。

据悉，长鑫存储当前大部分产能主要由人工智能（AI）领域的高涨需求驱动。与此同时，中国政府正积极鼓励长鑫存储将其DRAM技术知识产权向JHICC、Swaysure以及扬杰科技旗下XMC等国内其他厂商授权转移，旨在缓解国内市场内存供应紧张局面，并为长鑫存储自主DRAM产品进入欧盟、美国等全球市场铺路。