中国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片
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财联社6月12日电，据湖北江城实验室消息，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用，本质上是一个超微缩的“蓄水池”：当芯片电流剧烈波动时，能迅速充放电以平抑电压，确保芯片吃上“纯净且稳定”的电流。电容在算力系统中也被比喻为“电RAM”：HBM是算力的数据缓冲，电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。
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