HB Solution获高分辨率热成像技术 可检测先进封装微发热点

【CNMO科技消息】4月27日，HB Solution宣布，已成功获得用于半导体检测的微米级发热分析技术。该公司近期从韩国基础科学支援研究院（KBSI）受让了“高分辨率热成像显微镜”技术。HB Solution计划在未来一年内，基于客户样品完成半导体缺陷检测及失效分析设备的概念验证，并制作原型机。公司还计划在两年内向客户量产线出货首台商用设备。

据CNMO了解，该技术通过感应通电产生的热量所引发的反射率变化来实现检测，是一种基于光学原理的非接触式方法，能够对电子元件的微米级发热进行成像。传统红外方式显微镜的空间分辨率极限为10微米，而新技术实现了超越3微米、达到300纳米的分辨率。这意味着可以实时捕捉由微细工艺制造的半导体器件内部的高发热点。该技术还可用于包括高带宽内存在内的2.5D或3D等先进半导体封装内部层级的检测。

HB Solution此前主要制造显示器检测设备，拥有白光干涉测量、光谱椭偏仪、光谱反射仪等技术。白光干涉测量通过将白光分成两束分别射向晶圆和反射镜，利用反射光合并后的干涉条纹生成3D形貌；光谱椭偏仪使用特定波段的偏振光源，光谱反射仪则使用多波长的复合光源来测量物体厚度。这些原有技术虽然也能进行热检测，但高分辨率热成像显微镜能够实现更精细、更详尽的热感测。

HB Solution计划将原有技术与新技术相结合，开发检测设备，并将市场拓展至氮化镓或碳化硅功率半导体、电池、显示器等领域。公司旨在向高附加值产业全领域供应设备，中长期目标实现每年3000亿韩元以上的新增销售额。

HB Solution代表李在元表示：“引进高分辨率热成像显微镜技术，将成为HB Solution抢占半导体微发热分析领域、跃升为全球测量平台企业的契机。我们将推动该技术早日商用化，降低对国外设备的依赖，并为主要客户最大化工艺良率做出贡献。”