中国智造再破壁垒！极钼芯科技联合南大两登《Science》，引领二维半导体量产革命

2026年1月30日，极钼芯科技携手南京大学在二维半导体领域取得重大技术突破，相关成果再度荣登国际顶级学术期刊《Science》。短短三个月内两度登顶，标志着我国在该前沿领域成功实现从“单晶制备”到“可量产化”的关键跨越，为打通实验室技术到产业应用的核心链路奠定了坚实基础，彰显了中国在半导体高端制造领域的自主创新实力。

图1 Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra

技术升维：从“实现生长”到“优化生长”

2025年10月，极钼芯科技与南京大学已在衬底工程领域实现重大突破，成功完成 6 英寸单晶的普适制备，为二维半导体产业化迈出关键一步。此次新突破则直击产业化工艺核心痛点——生长动力学控制难题。

极钼芯科技深度契合南京大学工艺理念，定制研发的Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra设备，创新集成“氧辅助预反应动力学调控”与“无氢低碳硫源输运”双核心系统，从源头重构材料生长环境。这一原创性技术方案，从根本上破解了二维半导体量产过程中晶畴尺寸小、生长速率低、碳污染难控制等行业共性瓶颈，实现了从实验室样品制备到产业化规模生产的实质性跨越，技术水平达到国际领先。

图2 MOCVD生长动力学过程

生态闭环：自主可控筑牢产业发展根基

本次技术突破的深远价值，在于与此前的衬底工程成果形成完整协同，构建起自主、可控、高效的二维半导体产业化技术闭环，为我国在该领域的持续领跑提供了核心支撑。

在技术层面，衬底工程与生长动力学调控两大核心技术形成强大“双引擎”，不仅实现了技术上的相得益彰，更完整覆盖了从衬底制备到材料生长的全链条核心工艺，让各环节技术无缝衔接、高效运转。

此外，高端装备的自主化进程也实现了质的飞跃。此次量产技术突破所依托的Oxy-MOCVD设备达成100%国产化，这一成果不仅充分验证了我国高端半导体装备的可靠性与先进性，更标志着我国在该领域成功从“自主可用”迈向“引领定制”的新阶段，彻底打破了国外在高端半导体装备领域的长期垄断局面。

与此同时，应用落地的步伐也在加速推进。通过生长动力学的精准调控，二维半导体材料在均匀性、纯度及电学性能等关键指标上实现了质的提升，能够无缝对接下一代埃米级芯片、柔性显示等高端应用场景，将大幅缩短二维半导体从材料研发到芯片量产的产业化周期，为相关下游产业升级注入强劲动力，推动整个产业链实现高质量发展。

图3 6英寸MoS₂单晶表征

战略引领：中国创新定义全球半导体新赛道

当前，全球正处于后摩尔时代技术变革的关键节点，二维半导体作为突破传统芯片物理极限的核心方向，已成为各国科技竞争的战略制高点。极钼芯科技与南京大学的深度合作，以 “工艺与设备深度协同” 的原创模式，成功完成从原理创新、技术实现到装备定义的全链条突破，充分印证了中国企业在前沿科技领域的自主研发实力与创新引领能力。

从“用中国装备做出世界级材料”，到“以中国创新定义世界级工艺和装备”，两次登榜《Science》的背后，是中国在半导体领域从技术跟跑到战略引领的角色跃升。面向“十五五”战略规划，极钼芯科技将持续深化这一创新范式，推动二维半导体产业从“中国创新”“中国制造” 向“中国智造”“中国定义”跨越，为全球半导体产业的迭代升级贡献中国智慧与中国力量。

此次成果的落地，不仅是我国半导体产业自主创新的重要里程碑，更彰显了产学研深度融合的强大创新活力。未来，随着二维半导体产业化进程的加速推进，将为我国高端制造业高质量发展提供新的增长极，助力我国在全球科技竞争格局中占据更有利位置。

关于极钼芯

南京极钼芯科技有限公司聚焦二维半导体材料及设备研发，致力于突破国际技术封锁，填补国内产业链空白。公司以自主研发为核心，推动二维材料在集成电路领域的商业化应用，为国产替代与自主创新提供关键技术支撑。

主营业务涵盖：晶圆级二维材料（如MoS₂、WSe₂等）、二维材料 MOCVD沉积系统（科研级与产业级双线布局）、晶圆级真空二维材料转移系统，并提供代加工服务。通过构建材料制备、设备研发、工艺优化全链条能力， 助力中国集成电路产业在先进制程领域实现技术突破，加速完成从 “追赶 ” 到 “领跑 ” 的产业升级。