瑞萨电子介绍与本田合作SDV SoC细节:台积电3nm制程,2000TOPsAI算力
科技
科技 > 车研所 > 正文

瑞萨电子介绍与本田合作SDV SoC细节:台积电3nm制程,2000TOPsAI算力

IT之家 1 月 9 日消息,日本半导体企业瑞萨电子昨日公布了其与本田合作开发的高性能 SDV(IT之家注:软件定义汽车)SoC 的部分技术细节。该芯片计划用于 Honda 0 系列电动汽车未来车型,特别针对将于本十年末推出的车型。

这颗 SoC 采用台积电 3nm 汽车工艺技术(应为 N3A 制程变体),结合了瑞萨的通用第五代 R-Car X5 SoC 和本田开发的 AI 加速器两种芯粒 / 小芯片单元,可提供 2000 TOPs AI 算力并具有 20 TOPs / W 的能效表现,拥有满足自动驾驶等高级功能所需的 AI 性能,同时保持低功耗。

瑞萨表示 Honda 0 电动汽车将采用集中式 E / E(电子电气)架构,以单一 ECU(电子控制单元)控制多种车辆功能。两家企业合作开发的核心 EUC SoC 将成为 SDV 的“心脏”,负责管理 ADAS、自动驾驶、动力系统控制以及舒适功能等基本车辆操作。

亲爱的凤凰网用户:

您当前使用的浏览器版本过低,导致网站不能正常访问,建议升级浏览器

第三方浏览器推荐:

谷歌(Chrome)浏览器 下载

360安全浏览器 下载