三星否认其HBM3E芯片通过英伟达测试
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8月7日，有消息称，三星电子的第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已经通过英伟达（Nvidia）测试，可用于英伟达的AI处理器上。
针对上述报道，三星电子表示：“我们无法证实与我们客户相关的报道，但该报道并不属实。”
“正如我们在上个月的电话会议上所说的那样，质量测试正在进行中，自那以后没有任何变化。”三星电子的一位员工说。
当天早些时候，一些媒体援引三位匿名消息人士的话称，三星和英伟达预计将很快签署供应协议，从第四季度开始交付8层HBM3E芯片。不过，他们补充说，三星电子对12层HBM3E 的测试仍在进行中。
此前，三星在7月31日公布第二季度财报的电话会议上表示，该公司向英伟达等主要客户提供了8层HBM3E产品的样品，目前正在进行质量测试，预计第三季度开始批量供货。
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