三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术

三星晶圆代工部门近日透露，预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络（BSPDN）和硅光子技术。三星于6月13日在美国圣何塞举行三星代工论坛，透露了该公司在人工智能（AI）时代的部分路线图。

三星晶圆代工厂业务部门主管崔时荣（Siyoung Choi）在主题演讲中强调，高性能和低功耗芯片是实现AI的最重要因素。该公司还推出了一项名为“三星人工智能解决方案”的交钥匙一站式服务，可以让客户利用三星的晶圆代工、存储芯片和高级封装服务。三星表示，这将简化客户的供应链，并使其产品发布速度提升20%。该公司透露，在过去一年时间内，其AI相关订单猛增80%。

此次论坛期间，三星还分享了将在2027年推出硅光子技术的计划，这也是三星首次宣布采用硅光子技术。该技术在芯片上利用光纤传输数据，相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。此外，三星也投资了硅光子技术公司Celestial AI。

三星表示，采用BSPDN技术的2nm制程工艺也将于2027年推出。这一时间晚于其竞争对手英特尔将于2024年推出类似技术的计划。BSPDN技术将供电电路设计在晶圆背面，可以避开信号线，防止相互干扰。该技术可显著提升芯片功率、性能和面积效率。

三星透露其2nm工艺路线图：用于移动领域的SF2和SF2P将分别于2025年和2026年推出；面向人工智能和高性能计算（HPC）的2nm工艺将于2026年推出，早于BSPDN工艺。该公司还将在2027年推出用于汽车的2nm工艺。

三星重申，计划于2027年推出1.4nm工艺，目前正在确保该技术的性能和良率。该公司计划于2025年采用ASML High NA EUV光刻机，用于1.4nm制程芯片制造。

（校对/孙乐）