消息称三星电子正考虑将美国得州泰勒工厂工艺规划从4nm改为2nm
科技
科技 > 互联网 > 正文

消息称三星电子正考虑将美国得州泰勒工厂工艺规划从4nm改为2nm

IT之家 6 月 18 日消息,据 Etnews 报道,三星电子正在考虑将其美国得克萨斯州泰勒工厂的工艺制程从 4 纳米改为 2 纳米,以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称,三星电子最快将于第三季度做出最终决定。

▲ 三星电子泰勒工厂建设工地(图源:三星电子)

▲ 三星电子泰勒工厂建设工地(图源:三星电子)

三星电子泰勒工厂投资于 2021 年,次年开始建设,计划于 2024 年底开始分阶段运营。三星电子 DS 部门前负责人 Lee Bong-hyun 曾表示,“到 2024 年底,我们将开始从这里出货 4 纳米产品”。

相对地,英特尔计划今年在亚利桑那州和俄亥俄州工厂量产 Intel 20A 和 18A 工艺。此外,台积电正在美国建设三座晶圆厂,计划 2025 年上半年投产 4nm 制程,2028 年投产 2/3nm 制程,2030 年投产 2nm 以下制程。

在 4 月举行的第一季度业绩发布会上,三星电子表示“我们正准备根据客户订单分阶段启动美国泰勒工厂的运营工作,预计将于 2026 年实现首次量产。”

得益于泰勒工厂,三星电子能够从美国政府获得 64 亿美元(IT之家备注:当前约 464.98 亿元人民币)的补贴,到 2030 年总投资预计将超过 400 亿美元(当前约 2906.15 亿元人民币)。对于泰勒工厂的工艺转变是否会影响投资,我们还需拭目以待。

亲爱的凤凰网用户:

您当前使用的浏览器版本过低,导致网站不能正常访问,建议升级浏览器

第三方浏览器推荐:

谷歌(Chrome)浏览器 下载

360安全浏览器 下载