HBM产业观察：三星“两意”，霸主低眉

三星正为过去低估高频宽存储器（HBM）市场潜力而焦虑。

有知情人士透露，三星自去年起一直想通过英伟达（Nvidia）对其HBM3、HBM3E的测试，但最近因发热和功耗问题尚未能通过，仍需进一步验证。三星驳斥了这一说法，称“正与全球各合作伙伴顺利进行HBM供应测试”，并正在努力提高所有产品的质量和可靠性。

另一方面，三星电子芯片部门主管庆桂显（Kyung Kye-hyun）日前被撤换，三星意在“通过重塑内部和外部氛围增强未来竞争力”，这一职务的接任者是现年63岁的全永铉（Jun Young-hyun），曾因扭亏为盈的战绩被媒体称为“后援投手”。由于三星通常在年底调整管理层，因此这一人事变动多少有些耐人寻味。

以上两点，触发业界对三星HBM开发不顺的担忧。另据DigiTimes报道，三星HBM3E未通过英伟达测试的原因，是台积电（TSMC）审批环节出了问题。过去数十年中，三星与台积电是晶圆代工领域激烈厮杀的竞争者。但在英伟达主导的HBM世界里，“昔日霸主”三星不得不寻求与台积电的合作——作为英伟达GPU芯片的制造和封装厂，台积电在英伟达验证环节中具有较高话语权，其采用基于SK海力士HBM3E产品设定的检测标准，这或许对三星提供的产品参数产生影响。

在HBM技术路线上，SK海力士采用MR-MUF技术，三星则基于热压非导电薄膜（TC-NCF）技术，使用热压缩薄膜可以最大限度地减少堆叠芯片之间的空间，但随着层数不断增加，出现与粘合剂材料相关的问题。

有知情人士在3月指出，三星已发出用于处理MUF技术的芯片制造设备的采购订单，“三星必须采取措施提高HBM产量……采用MUF技术对三星来说有点忍气吞声，因为它最终沿用SK海力士最先使用的技术。”这一说法同样遭到三星否认，其坚持NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”。

一切变得紧迫起来。英伟达在全球AI应用GPU的市占率大约80%，满足它的需求被视为HBM供应商未来成长的关键。去年开始，SK海力士和美光向英伟达提供8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品，并在今年初通过英伟达验证而获得订单。最迟去年10月，三星也已经就HBM产品技术验证与英伟达合作，迄今已超半年。如果此次测试结果不顺，恐进一步迟滞三星HBM产品出货节点，拖累市占率。

数据显示，SK海力士已获得五成市占率，其次是占四成的三星和占一成的美光。美光、三星在HBM竞争中的不利局面，在5年前，甚至更早就已埋下伏笔，前者“压错宝”，后者“走错路”。

2011年9月，美光与英特尔合作开发的HMC（Hybrid Memory Cube，混合内存立方体）发布，致力于解决DDR3所面临的带宽问题，但由于种种原因被迫搁浅；至于三星，2019年因误判市场前景而解散其HBM团队，在此后的竞逐中失去先机。三星电子半导体部门员工一度发出“SK海力士分包商”的自嘲——由于SK海力士已成为HBM市场的全球主力供应商，三星被迫接受SK海力士外溢的订单。

就眼下时局而言，美光尚可在HBM的竞争中闲庭信步，其受美国地缘优势影响，美国本土科技巨头或加大采购力度，助力其市场份额的提升。但三星面临竞争对手的强势，以及重回存储王座的压力，必须加快现有HBM产品出货，以及下一代HBM的研发。

三星能否顺利通过英伟达测试？此前，业界一度传出“英伟达故意煽动三星、SK海力士彼此竞争，顺势压低HBM价格”的消息，从侧面反映英伟达有意培养更多HBM供应商的考虑，因此三星通过测试并不成为问题。但三星会否改弦易辙采用MUF技术，或同时引入NCF和MUF，甚至通过调整人事推出强人“翻盘”，有待进一步观察。

但时间很紧张。毕竟HBM3E只是腋肘之患，2025年前后的HBM4才是生死局。