三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题，已严格测试

三星电子坚决否认有关其高带宽存储（HBM）产品未能达到英伟达质量标准的报道。该报告列举了发热和功耗过高等问题，并声称三星的HBM产品尚未通过英伟达的严格测试。

三星电子在一份声明中驳斥了这些说法，称“正在与全球各合作伙伴顺利进行HBM供应测试”。该公司强调，正在“与多家公司密切合作，不断测试技术和性能”，以确保其产品的质量和可靠性。

HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，随着人工智能（AI）市场的快速增长变得越来越重要。HBM需求激增，三星电子和SK海力士陷入激烈的市场主导地位争夺战。

尽管三星在存储半导体行业历来处于领先地位，但其在HBM领域处于下风，这种情况促使该公司内部发生重大战略转变。

为了应对这些竞争压力，三星最近更换了负责监管半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人。

此次领导层变动凸显了三星重新在HBM市场站稳脚跟的承诺。今年4月，三星开始量产其第五代HBM产品8层HBM3E，并计划在今年第二季度开始量产业界首款12层HBM3E产品。

三星电子重申了其对质量和可靠性的承诺。该公司表示：“我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。我们正在严格测试HBM产品的质量和性能，以便为客户提供最佳的解决方案。”

尽管有这些保证，一些市场分析师仍然对三星在短期内缩小与其竞争对手差距的能力持怀疑态度。