存在发热和功耗问题 三星未通过英伟达HBM芯片测试

图注：三星公司

凤凰网科技讯 北京时间5月24日，据了解情况的三名知情人士透露，三星电子的最新高带宽内存（HBM）芯片由于出现了发热和功耗问题，未能通过英伟达（Nvidia）公司的测试，原计划该芯片将会作为英伟达的人工智能处理器芯片被使用。

外媒称，这些问题动摇了三星HBM3芯片甚至是即将推出的第五代HBM3E芯片的市场地位。

HBM芯片有助于处理由复杂的 AI 应用程序产生的大量数据。随着生成式 AI 热潮的兴起，对复杂 GPU 的需求飙升，对 HBM 的需求也随之飙升。英伟达作为占据全球 AI 应用 GPU 市场约 80% 的份额的大型公司，一直被视为 HBM 制造商业务增长的关键。

目前，尚不清楚这些问题是否可以轻松解决，但据外媒报道，未能满足英伟达的要求已加剧了业界和投资者的担忧，他们担心三星可能会在HBM领域进一步落后于竞争对手SK海力士以及美光科技。

值得一提的是，三星对其在 HBM 领域落后地位展现出了担忧。三星此前更换了其半导体部门负责人，称需要一位新人来应对这场影响行业的“危机”， 在小众但日益重要的 HBM 芯片领域，这家全球最大的内存芯片制造商已经落后于同行， SK 海力士控制着主流 HBM 市场的 90% 以上。 (作者/周文浩)

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