英伟达下一代架构“Rubin”曝光:台积电3nm、HBM4内存
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英伟达下一代架构“Rubin”曝光:台积电3nm、HBM4内存

原标题:性能跨时代飞跃!英伟达下一代架构“Rubin”曝光:台积电3nm、HBM4内存

快科技5月10日消息,据国外媒体报道,英伟达的Blackwell系列人工智能GPU才开始出货不就,其下一代架构就已经开始浮出水面。

报道称,英伟达新架构的代号为“Rubin”,是以美国天文学家Vera Rubin来命名。预计将在性能上实现跨时代的飞跃,同时重点关注降低功耗,以应对未来计算中心的扩展需求。

据分析师郭明錤透露,基于“Rubin”架构的首款AI GPU——R100预计将于2025年第四季度进入量产阶段。

这也就意味着R100可能会在更早的时间亮相,以便客户进行评估,并在2026年初开始收到这些芯片。

R100预计将采用台积电的3纳米EUV FinFET工艺,与当前的Blackwell B100相比,R100将采用4倍光罩设计,并继续使用台积电的CoWoS-L封装技术。

此外,R100有望成为首批采用HBM4堆叠内存的芯片之一,预计具有8个堆叠,尽管具体的堆叠高度尚未明确。

同时,Grace Ruben GR200 CPU+GPU组合可能采用在3纳米节点上制造的全新"Grace" CPU,并可能采用光学收缩技术以进一步降低功耗。

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