美国两大芯片巨头突然宣布联手 未来四年内“野心”公开

凤凰网科技讯 北京时间7月27日消息，英特尔公司周一表示，其工厂将开始生产高通公司的芯片，并公布了一份扩大新代工业务的路线图，要在2025年追赶上对手台积电和三星电子。

英特尔称，公司将使用日后推出的20A制程工艺来生产高通芯片，但没有披露它将生产高通的哪款产品以及首批芯片的推出时间。英特尔20A工艺定于2024年发布，它将推出新的晶体管架构RibbonFET。除高通外，亚马逊云计算服务AWS也将与英特尔代工服务合作，使用英特尔的封装解决方案，但英特尔并不直接为亚马逊生产芯片。

英特尔还表示，公司预期将在2025年重新夺回芯片制造领先优势。

英特尔技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术：

英特尔芯片工艺路线图

1. 基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采用Intel 7工艺，之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产。

2. Intel 4完全采用EUV光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，Intel 4将在 2022 年下半年投产，并于 2023年出货，这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

3. Intel 3凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。 Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。

4. Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET是英特尔对GAA（Gate All Around）晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A预计将在2024年推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A制程工艺技术上，与高通公司进行合作。

5. 2025 年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。(作者/箫雨)

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