美国两大芯片巨头突然宣布联手 未来四年内“野心”公开
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美国两大芯片巨头突然宣布联手 未来四年内“野心”公开

2021年07月27日 06:22:59
来源:凤凰网科技

凤凰网科技讯 北京时间7月27日消息,英特尔公司周一表示,其工厂将开始生产高通公司的芯片,并公布了一份扩大新代工业务的路线图,要在2025年追赶上对手台积电和三星电子。

英特尔称,公司将使用日后推出的20A制程工艺来生产高通芯片,但没有披露它将生产高通的哪款产品以及首批芯片的推出时间。英特尔20A工艺定于2024年发布,它将推出新的晶体管架构RibbonFET。除高通外,亚马逊云计算服务AWS也将与英特尔代工服务合作,使用英特尔的封装解决方案,但英特尔并不直接为亚马逊生产芯片。

英特尔还表示,公司预期将在2025年重新夺回芯片制造领先优势。

英特尔技术专家详述了以下路线图,其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术:

英特尔芯片工艺路线图

英特尔芯片工艺路线图

1. 基于FinFET晶体管优化,Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比,每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采用Intel 7工艺,之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产。

2. Intel 4完全采用EUV光刻技术,可使用超短波长的光,刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进,Intel 4将在 2022 年下半年投产,并于 2023年出货,这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

3. Intel 3凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用,较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升,在芯片面积上也会有额外改进。 Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。

4. Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET是英特尔对GAA(Gate All Around)晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A预计将在2024年推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A制程工艺技术上,与高通公司进行合作。

5. 2025 年及更远的未来:从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中,将于2025年初推出,它将对RibbonFET进行改进,在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV,有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作,确保这一行业突破性技术取得成功,超越当前一代 EUV。(作者/箫雨)

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