中科院院士都有为:自旋芯片或成后摩尔时代主流芯片
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中科院院士都有为:自旋芯片或成后摩尔时代主流芯片

2020年10月17日 10:25:23
来源:爱集微APP

10月16日,第十九届中国(淄博)新材料技术论坛在淄博举行。在论坛上,中国科学院院士,南京大学物理系教授、博士生导师都有为指出,自旋芯片属于核心高端芯片,是科技关键核心技术,具有高达上万亿美元的巨大市场前景,有可能成为后摩尔时代的主流芯片。

据了解,自旋芯片是各类MRAM(磁随机存储器)的统称,共经历了MRAM、STT-MRAM、MeRAM等三个发展阶段。

在此期间,不同的国家或者企业都在积极推动自旋芯片的发展。2008年,日本卫星全面采用Freescale公司的MRAM产品,替代了SRAM和Flash存储器。2009年,法国投入420万欧元资助研制自旋电子可编程逻辑器件;韩国政府与Hynix和三星共同投资5000万美元开发STT-MRAM。2010年,日本研发新的TMR结构,原理上可以使STT-MRAM容量达到10Gbit。2013年,欧洲A350飞机采用自旋芯片控制系统。2016年,IBM联手三星宣布批量生产STT-MRAM芯片,其读写速度比NAND Flash快千倍,有望取代DRAM。

从2017年开始,中国企业也在积极布局自旋芯片 。2017年,台积电在南京建厂拟生产自旋芯片。2018年,杭州驰拓、上海磁宇、中芯国际、华为等筹建自旋芯片的研发、生产线。

都有为认为,自旋芯片兼具SRAM的高速度、DRAM的高密度和Flash的非易失性等优点,是科技关键核心技术,可军民两用,具有高达上万亿美元的巨大市场前景,有可能成为后摩尔时代的主流芯片。这对提升国家高科技水平和增强国防安全意义重大,国外不会将高端科技在中国生根发芽,国家应予以高度重视与支持。

都有为强调,如果我国当前不重视自旋芯片的研发与产业化,未来必将受制于国外,重走半导体芯片落后的覆辙。(校对/Kelven)