2018 IEEE 国际集成电路技术与应用学术会议 (ICTA 2018)

第一届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议（IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA 2018) ，会议号#44889）将于2018年11月21-23日在北京举办。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办，交流和展示集成电路设计、技术和应用及相关跨学科交叉领域的最新技术成果，今后将每年在中国举行一次。今年会议主题为“物联网和5G中的传感器、集成电路和系统”。

ICTA2018 现公开征集包括但不仅限于以下领域的有创新性发现和设计的稿件：

1.    用于RFIC和MMIC的电路模块：Si基RFIC电路模块，基于化合物半导体的MMIC电路模块，LNA，PA，VCO，PLL，移相器，混频器，射频开关，巴伦，功率放大器等。

2.    模拟与混合信号集成电路:  电源管理装置及系统、OPA、LDO、VGA、放大器、比较器、滤波器、AGC、VGA、ADC、DAC、分频器/乘法器等。

3.    数字集成电路: 存储器、处理器、FPGA、深度学习处理器、Si基 AI芯片、晶体管DSP等。

4.    建模、CAD和测试: 集约化模型和提取技术（硅基），SPICE 建模和提取技术（非硅基），GaN的建模技术，SiC, ASM-HEMT，二维材料器件，量子器件，NOC，测试结构设计和模型参数提取，RF校准和可靠的数据采集，CAD，EM / TCAD仿真，协同仿真和验证技术，PDK验证。

5.    半导体工艺与器件技术: CMOS, FinFET, UT-SOI， LDMOS， HEMT，HBT， SiGe， GaAs， InP， GaN，二维材料、3G材料、MEMS、器件表征、仿真和远场等。

6.    存储器件和工艺：Flash，OTP，MTP，SRAM，DRAM，3D NAND，MRAM，RRAM，PCRAM，FeRAM，crossbar，DRAM + MCU等

7.    新兴器件技术：二维材料，绿色和可植入材料，神经形态器件，光电子器件，器件表征等

8.    封装和模块技术: MCM，SiP，SoP，TSV，倒装芯片组装、引线封装、各向异性导电膜、互连技术、多尺度多物理和电磁计算/仿真等。

9.    无源集成电路和有源天线技术: 滤波器，硅基或化合物半导体EM密集型电路，面向MIMO的集成天线，片上天线，AIP， 集成无源器件，高级计算电磁学等。

10.  5G、毫米波和太赫兹集成电路: 毫米波波段（30-300 GHz）和太赫兹波段（> 300 GHz）集成电路/系统，数字波束控制技术，频率发生电路等。

11.  汽车电子集成电路: 高压集成电路， IVI， ADAS，智能接口，ACC，OBD，车载雷达等。

12.  高速互联集成电路: 高速数据链路的无线/有线/光纤收发器，SerDes，用于高速数据链路的CDR电路，光电集成电路等。

13.  面向生物医学的传感器和成像集成电路: 低功耗集成电路，WBAN，可穿戴设备和系统、安全、生物医学和医疗监护应用中的传感器节点、RFID、NFC、ZigBee、WPAN等。

14.  用于物联网和5G应用的传感器和集成电路：便携式设备和系统、人工智能系统等。