核磁共振波谱中的化学位移

在照射频率确定时，都是H核，所以吸收峰的位置应该是相同的，而实际不是这样。这种氢核吸收峰所在的相对不同位置就叫化学位移。

化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的。H核在分子中是被价电子所包围的。因此，在外加磁场的同时，还有核外电子绕核旋转产生感应磁场H’。如果感应磁场与外加磁场方向相反，则H核的实际感受到的磁场强度为：H实=H0-H’=H0-σH0=H0(1-σ)（σ为屏蔽常数）

核外电子对H核产生的这种作用，称为屏蔽效应（如果产生磁场与外加磁场同向，称之为去屏蔽效应）。显然，核外电子云密度越大，屏蔽效应越强，要发生共振吸收就势必增加外加磁场强度，共振信号将移向高场区；反之，共振信号将移向低场区。

因此化合物的核磁共振谱图中，峰的数目表示分子中带有磁矩的质子有多少种，峰的强度（面积）即代表每类质子的相对数目，峰的位移即化学位移可以分析每类质子在分子机构中所处的化学环境。